制造商:    Infineon    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:     详细信息    

技术:    Si    

安装风格:    Through Hole    

封装 / 箱体:    TO-220-3    

晶体管极性:    P-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    55 V    

Id-连续漏极电流:    70 A    

Rds On-漏源导通电阻:    20 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 20 V, + 20 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    2 V    

Qg-栅极电荷:    180 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    170 W    

通道模式:    Enhancement    

封装:    Tube    

商标:    Infineon / IR    

配置:    Single    

高度:    15.65 mm    

长度:    10 mm    

产品类型:    MOSFET    

工厂包装数量:    1000    

子类别:    MOSFETs    

晶体管类型:    1 P-Channel    

宽度:    4.4 mm    

零件号别名:    IRF4905PBF SP001571330    

单位重量:    2 g