制造商:    Vishay    

产品种类:    MOSFET    

RoHS:     详细信息    

技术:    Si    

安装风格:    SMD/SMT    

封装 / 箱体:    SOT-23-3    

晶体管极性:    P-Channel    

通道数量:    1 Channel    

Vds-漏源极击穿电压:    20 V    

Id-连续漏极电流:    3.1 A    

Rds On-漏源导通电阻:    112 mOhms    

Vgs - 栅极-源极电压:    - 8 V, + 8 V    

Vgs th-栅源极阈值电压:    1 V    

Qg-栅极电荷:    3.3 nC    

最小工作温度:    - 55 C    

最大工作温度:    + 150 C    

Pd-功率耗散:    1.6 W    

通道模式:    Enhancement    

商标名:    TrenchFET    

封装:    Reel    

封装:    Cut Tape    

封装:    MouseReel    

商标:    Vishay Semiconductors    

配置:    Single    

下降时间:    10 ns    

产品类型:    MOSFET    

上升时间:    35 ns    

系列:    SI2    

工厂包装数量:    3000    

子类别:    MOSFETs    

晶体管类型:    1 P-Channel    

典型关闭延迟时间:    30 ns    

典型接通延迟时间:    11 ns    

零件号别名:    SI2301CDS-T1-BE3 SI2301CDS-GE3    

单位重量:    8 mg